Universidad de Costa Rica

IE0313 Electrónica I

Créditos:
3
Departamento:
Electrónica y Telecomunicaciones
Curso:
Troncal
Tipo:
0 - Teórico
Horas:
5h: 3h T, 0h L, 2h P, 0h T/P

Descripción

Este curso permite introducir los principios y fundamentos de la electrónica analógica,
aplicados al análisis y diseño de circuitos electrónicos.

Contenidos

1. Introducción (0.5 semana)

Historia de la electrónica: del tubo al vacío a los circuitos integrados.
Aspectos generales de los sistemas electrónicos.
Repaso de simulaciones por computador.


2. Diodos semiconductores y aplicaciones (2 semanas)


Propiedades eléctricas de los materiales semiconductores.
Modelo ideal y simplificado del diodo semiconductor. Curva característica.
Circuito equivalente y capacitancias.
Características y especificaciones eléctricas de diversos tipos de diodos.
Análisis con recta de carga.
Configuraciones con diodos.
Circuitos de rectificación en media onda y en onda completa con etapa de filtrado capacitivo.
El diodo Zener como regulador de tensión. Diseño de fuentes reguladas con diodo Zener considerando su resistencia interna. Regulación de línea y de carga.
Introducción a los reguladores lineales de tensión integrados (positivos y negativos) y a las fuentes de alimentación reguladas.
Efectos de la temperatura, cálculo y selección de radiadores de calor u de fusibles.


3. Transistores de unión bipolar (BJT) (2.5 semanas)


Construcción, funcionamiento y características eléctricas. Acción de amplificación.
Configuración de emisor común, base común y colector común.
Efecto de la temperatura en Vbe, Icbo, Iceo. Especificaciones eléctricas de transistores.
******* Primer examen parcial 23 de Setiembre de 9:00 a 12:00 *******


4. Polarización de CD de transistores de unión bipolar (BJT) (1.5 semana)


Punto de operación. Diversas configuraciones de polarización. Operaciones de diseño.


5. Análisis de CA de transistores de unión bipolar (BJT) (2 semanas)


Amplificación en CA. Modelo de un transistor. Configuraciones de polarización. Ganancia de corriente. Conexión Darlington. Modelos equivalentes.


6. Transistor de efecto de campo (FET) (1.5 semana)


Construcción, funcionamiento y características eléctricas.
Características de transferencia.
Relaciones importantes.
Otras configuraciones.
******* Segundo examen parcial 28 de Octubre de 9:00 a 12:00 *******


7. Polarización de FET (1.5 semana)


Configuraciones de polarización. Casos especiales. MOSFET.


8. Amplificadores con FET (1.5 semana)


Modelo de FET de pequeña señal. Configuraciones de polarización. Configuraciones por MOSFET.
Diseño de redes de amplificación con FET. Configuración en cascada.


9. Respuesta en frecuencia de BJT y FET (1.5 semana)


Consideraciones generales sobre la frecuencia. Respuesta en baja y alta frecuencia con BJT y FET.


10. Dispositivos Optoelectrónicos (1.5 semana)


Diodos Emisores de Luz (LED). Fotodiodos. Fototransistores. Fotoresistores. Optoacopladores.
******* Tercer examen parcial 1 de Diciembre de 9:00 a 12:00 *******
******* Examen ampliación 8 de Diciembre de 9:00 a 12:00 *******

Competencias

POR DEFINIR

© 2020 Escuela de Ingeniería Eléctrica, Universidad de Costa Rica.